M.Yokoyama, 他: "Radiation-hardness of VA1 with Sub-micron Process Technology"IEEE Transaction on Nuclear Science. 48巻・3号. 440-443 (2001)
M.Yokoyama, 他: "Radiation-hardness of VA1 with Sub-micron Process Technology"IEEE Transaction on Nuclear Science. 48巻・3号. 440-443 (2001)
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M. Yokoyama 等人：“采用亚微米工艺技术的 VA1 的辐射硬度”，IEEE Transaction on Nuclear Science，第 48 卷，第 3 期，440-443 (2001)。
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