An Analytical Thermal Noise Model of the MOS Transistor Valid in All Modes of Operation
An Analytical Thermal Noise Model of the MOS Transistor Valid in All Modes of Operation
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在所有工作模式下均有效的 MOS 晶体管热噪声分析模型
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Enz
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Roy;C. Enz
尽管最近提出的MOS晶体管热噪声的紧凑模型与实验数据有很好的匹配，但我们认为大多数现有的紧凑模型都存在不正确的物理假设或建模（例如没有载流子加热，速度饱和效应的错误建模，扩散率的错误建模等）。这项工作提出了一个新的完全解析的热噪声模型的基础上一致的物理假设和有效的所有模式的反演。
Although some of the recently proposed compact models for thermal noise in MOS Transistor exhibit good match with experimental data, we believe most of the existing compact models suffer from incorrect physical assumptions or modeling (e.g absence of carrier heating, incorrect modeling of velocity saturation effect, wrong modeling of diffusivity etc.). This work presents a new completely analytical thermal noise model based on consistent physical assumptions and valid in all modes of inversion.