Comparison of contemporary CMOS ring oscillators
Comparison of contemporary CMOS ring oscillators
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当代 CMOS 环形振荡器的比较
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E. Elliot
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dean A. Badillol;S. Kiaei;E. Elliot
这项工作提出了测量数据和分析，准确地比较三，四级环形振荡器。这里考虑的延迟单元拓扑结构包括线性源耦合和两种饱和类型。每个振荡器是同时制作在一个1.8 V，0.18 /spl μ/m CMOS工艺，其特征在于相位噪声，功耗和调谐范围。
This work presents measured data and analysis, accurately comparing three, four-stage ring oscillators. The delay cell topologies considered here include the linear source coupled, and two saturating types. Each oscillator is fabricated concurrently in a 1.8 V, 0.18 /spl mu/m CMOS process and is characterized for phase noise, power consumption and tuning range.