Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces
Characterization and understanding of slow traps in GeOx-based n-Ge MOS interfaces
复制标题
基于 GeOx 的 n-Ge MOS 界面中慢陷阱的表征和理解
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Ke;P. Cheng;K. Kato;M. Takenaka;and S. Takagi
