Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature
Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature
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环境氧气对AlN高温氢化物气相外延过程中Si掺入的影响
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Yoshinao Kumagai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keita Konishi;Reo Yamamoto;Rie Togashi;Toru Nagashima;Rafael Dalmau;Raoul Schlesser;Hisashi Murakami;Ramon Collazo;Bo Monemar;Zlatko Sitar;and Yoshinao Kumagai
