台面结构对4H-SiC 紫外探测器性

台面结构对4H-SiC 紫外探测器性
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DOI:
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发表时间:
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期刊:
半导体学报, 28卷,pp185-188,2007年增刊
影响因子:
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通讯作者:
赵永梅
赵永梅
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
刘兴昉;孙国胜;李晋闽;赵永梅

文献摘要

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