图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响

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DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
材料导报B:研究篇
影响因子:
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通讯作者:
张继军
张继军
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
李宝吉;吴渊渊;陆书龙;张继军

文献摘要

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