N.Fujimura, T.Taniguchi and T.Ito: ""Interfacial Reactions of TiN_x/Si contacts" Polycrystalline Semiconductors '88 Physical Properties of Grain Boundaries and Interfaces. 1988. 8. 29-9. 2 Marente West Germany will be presented.
N.Fujimura, T.Taniguchi and T.Ito: ""Interfacial Reactions of TiN_x/Si contacts" Polycrystalline Semiconductors '88 Physical Properties of Grain Boundaries and Interfaces. 1988. 8. 29-9. 2 Marente West Germany will be presented.
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N.Fujimura、T.Taniguchi 和 T.Ito：““TiN_x/Si 接触的界面反应”多晶半导体 88 晶界和界面的物理特性。1988. 8. 29-9. 2 马伦特西德将提出。
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