Optical response at 1.3 μm and 1.5 μm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix
Optical response at 1.3 μm and 1.5 μm with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix
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嵌入纯 GaAs 基质中的 InAs 量子点在 1.3 μm 和 1.5 μm 处的光学响应
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)02405-3
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发表时间：
2003
影响因子：
1.8
通讯作者：
J. Leite
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. D. Silva;A. Quivy;S. Martini;T. E. Lamas;E. Silva;J. Leite
影响因子：
4
作者：
LEONARD, D;KRISHNAMURTHY, M;PETROFF, PM
通讯作者：
PETROFF, PM
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H