pMOSシリコン量子ドットにおける電荷ノイズの温度依存性評価
pMOSシリコン量子ドットにおける電荷ノイズの温度依存性評価
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pMOS 硅量子点中电荷噪声的温度依赖性评估
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
中越 一真,土屋 龍太,峰 利之,久元 大,水野 弘之,溝口 来成,米田 淳,小寺 哲夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. I. Osaka;D. Toh;K. Yamauchi;K. Hattori;X.Qi. Shi;F.Z. Guo;A. N. Hattori;中越 一真,土屋 龍太,峰 利之,久元 大,水野 弘之,溝口 来成,米田 淳,小寺 哲夫
