High-aspect-ratio atructures of pore and pillar arrays of semiconductors fabricated by wet etching using sphere photolithography
High-aspect-ratio atructures of pore and pillar arrays of semiconductors fabricated by wet etching using sphere photolithography
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使用球光刻湿法蚀刻制造半导体孔和柱阵列的高深宽比结构
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Fujihara and H. Asoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Ono;S. Kotaka;J. Iwata;K. Fujihara and H. Asoh
