Appearance of Anisotropic Magnetoresistance and Electric Potential Distribution in Si-Based Multiterminal Devices With Fe Electrodes
Appearance of Anisotropic Magnetoresistance and Electric Potential Distribution in Si-Based Multiterminal Devices With Fe Electrodes
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Fe电极硅基多端器件中各向异性磁阻的表现和电势分布
DOI：
10.1109/lmag.2012.2201698
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发表时间：
2012
影响因子：
1.2
通讯作者：
M. Tanaka
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Nakane;S. Sato;S. Kokutani;M. Tanaka
我们研究了各向异性磁阻 (AMR) 对具有铁磁 Fe 电极的硅基多端器件中非局部信号的影响。当面内器件结构未优化时，Fe 电极的 AMR 对非局部信号有显着影响。我们的共形映射计算表明，当直接在硅沟道上制造铁磁电极时，由于硅沟道深度方向上的电势分布，实际上不可能通过自旋扩散实现纯自旋电流。我们讨论了结构对电势分布的影响，这对于分析自旋相关输运是必不可少的。
We have investigated the influence of anisotropic magnetoresistance (AMR) on nonlocal signals in Si-based multiterminal devices with ferromagnetic Fe electrodes. The AMR of the Fe electrodes has a significant influence on nonlocal signals when the in-plane device structure is not optimized. Our conformal mapping calculations show that it is virtually impossible to realize a pure spin current by spin diffusion because of the electric potential distribution in the depth direction in the Si channel when the ferromagnetic electrodes are directly fabricated on the Si channel. We discuss the influence of structure on the electric potential distribution, which is indispensable for an analysis of spin-dependent transport.
具有铁磁半导体通道的自旋金属氧化物半导体场效应晶体管（自旋 MOSFET）
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
J.Appl.Phys. 97
影响因子：
--
作者：
S.Sugahara;M.Tanaka
通讯作者：
M.Tanaka
磁性纳米结构中的自旋注入和探测
影响因子：
3.7
作者：
Takahashi, S;Maekawa, S
通讯作者：
Maekawa, S