SiN:Fゲート絶縁膜を用いた高信頼性a-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析
SiN:Fゲート絶縁膜を用いた高信頼性a-InGaZnO薄膜トランジスタの界面における結合状態の解析
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使用SiN:F栅极绝缘膜的高可靠性a-InGaZnO薄膜晶体管界面键合状态分析
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山﨑 はるか
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Haruka Yamazaki;Yasuaki Ishikawa;Mami N. Fujii;Juan Paolo Bermundo;Eiji Takahashi;Yasuaki Andoh;and Yukiharu Uraoka;山﨑 はるか
