InGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる内部量子効率の解析
InGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる内部量子効率の解析
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利用激子速率方程模型分析InGaN量子阱结构中的内量子效率
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
久保僚太朗，永安悠人，牛見友祐，室谷英彰，山田陽一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiromi Tanaka;Yi Li;Yoonhyuck Choi;Dongkeun Park;Wooseung Lee;Hideki Tanaka;Juan Bascunan;and Yukikazu Iwasa;久保僚太朗，永安悠人，牛見友祐，室谷英彰，山田陽一
