(Invited) Exploring the ALD Al2O3/In0.53Ga0.47As and Al2O3/Ge Interface Properties: A Common Gate Stack Approach for Advanced III-V/Ge CMOS
(Invited) Exploring the ALD Al2O3/In0.53Ga0.47As and Al2O3/Ge Interface Properties: A Common Gate Stack Approach for Advanced III-V/Ge CMOS
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（特邀）探索 ALD Al2O3/In0.53Ga0.47As 和 Al2O3/Ge 界面特性：先进 III-V/Ge CMOS 的共栅堆栈方法
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hoffman
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Lin;N. Waldron;G. Brammertz;K. Martens;Wei;S. Sioncke;A. Delabie;H. Bender;T. Conard;W. Tseng;Jian;K. Temst;A. Vantomme;J. Mitard;M. Caymax;M. Meuris;M. Heyns;T. Hoffman
