Recent progress for inversion channel mobility improvement in diamond MOSFETs
Recent progress for inversion channel mobility improvement in diamond MOSFETs
复制标题
金刚石 MOSFET 反转沟道迁移率改进的最新进展
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Tokuda,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Matsumoto, U.Sakurai;T.Yamakawa;H.Kato;T.Makino;M.Ogura;D.Takeuchi;S.Yamasaki;T.Inokuma;N.Tokuda,
