Crystallization by excimer laser annealing for a-Si:H films with low hydrogen content prepared by Cat-CVD
Crystallization by excimer laser annealing for a-Si:H films with low hydrogen content prepared by Cat-CVD
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Cat-CVD制备低氢a-Si:H薄膜的准分子激光退火结晶
DOI：
10.1016/s0040-6090(03)00089-0
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
H. Matsumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yogoro;A. Masuda;H. Matsumura
