Energy and angular dependence of incident Ar ion in dry-etching of wurtzite-type GaN crystal
Energy and angular dependence of incident Ar ion in dry-etching of wurtzite-type GaN crystal
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纤锌矿型GaN晶体干法刻蚀中入射Ar离子的能量和角度依赖性
DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
K. Harafuji and K. Kawamura
中科院分区:
文献类型:
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作者:
服藤憲司;河村雄行;K. Harafuji and K. Kawamura;服藤 憲司;服藤 憲司;K. Harafuji and K. Kawamura;K. Harafuji and K. Kawamura