Al1.3Sb3Te material for phase change memory application
Al1.3Sb3Te material for phase change memory application
复制标题
用于相变存储器应用的Al1.3Sb3Te材料
DOI：
10.1063/1.3616146
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发表时间：
2011-07-25
影响因子：
4
通讯作者：
Chu, Junhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Peng, Cheng;Song, Zhitang;Chu, Junhao
与Ge_2Sb_2Te_5相比，Al_（1.3）Sb_3Te具有更高的晶化温度（约210 ℃）、更大的晶化激活能（3.32 eV）和更好的数据保持能力（124 ℃ 10年），是一种很有前途的相变存储材料。此外，Al 1.3Sb3Te显示出快速的相变速度，并结晶成均匀嵌入的晶体结构。该电压脉冲宽度仅为10 ns，可实现Al 1.3Sb3Te基相变存储单元的可逆操作。此外，基于Al 1.3Sb3Te材料的相变存储器单元还具有良好的耐久性（类似于2.5 × 10（4）次循环）和类似于10（2）的足够的电阻比。(C)2011年美国物理学会。[doi：10.1063/1.3616146]
Comparing with Ge2Sb2Te5, Al1.3Sb3Te is proved to be a promising candidate for phase-change memory use because of its higher crystallization temperature (similar to 210 degrees C), larger crystallization activation energy (3.32 eV), and better data retention ability (124 degrees C for 10 yr). Furthermore, Al1.3Sb3Te shows fast phase change speed and crystallizes into a uniformly embedded crystal structure. As short as 10 ns width, voltage pulse can realize reversible operations for Al1.3Sb3Te based phase-change memory cell. Moreover, phase-change memory cell based on Al1.3Sb3Te material also has good endurance (similar to 2.5 x 10(4) cycles) and an enough resistance ratio of similar to 10(2). (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3616146]