Improved Tunnel-FET inverter performance with SiGe/Si heterostructure nanowire TFETs by reduction of ambipolarity
Improved Tunnel-FET inverter performance with SiGe/Si heterostructure nanowire TFETs by reduction of ambipolarity
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通过减少双极性，提高 SiGe/Si 异质结构纳米线 TFET 的隧道 FET 逆变器性能
DOI：
10.1016/j.sse.2015.02.018
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发表时间：
2015
影响因子：
1.7
通讯作者：
S. Mantl
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Richter;S. Trellenkamp;A. Schafer;J. Hartmann;K. Bourdelle;Qing;S. Mantl
