Asymmetric Reconstruction of Fermi Surface in a Gate-Tuned Organic Mott Insulator
Asymmetric Reconstruction of Fermi Surface in a Gate-Tuned Organic Mott Insulator
复制标题
栅极调谐有机莫特绝缘体中费米面的不对称重建
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
加藤礼三
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川椙義高;関和弘;枝川祐介;佐藤慶明;蒲江;竹延大志;柚木清司;山本浩史;加藤礼三
