Spatial inhomogeneity and void-growth kinetics in the decomposition of ultrathin oxide overlayers on Si(100).
Spatial inhomogeneity and void-growth kinetics in the decomposition of ultrathin oxide overlayers on Si(100).
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Si(100) 上超薄氧化物覆盖层分解的空间不均匀性和空隙增长动力学。
DOI：
10.1103/physrevb.43.14309
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Thomas Engel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.;D. Bonser;Thomas Engel
Des couches d'oxyde, d'epaisseur 4-10 monocouches, se decomposent de facon inhome a crosss la Formation de cavite dans lequel la surface propre est exee.奥昆变化 n'a lieu dans la Region oxydee durant la desorbing thermique jusqu'a son engouffrage par les cavites croissantes
Des couches d'oxyde, d'epaisseur 4-10 monocouches, se decomposent de facon inhomogene a travers la formation de cavite dans lequel la surface propre est exposee. Aucun changement n'a lieu dans la region oxydee durant la desorption thermique jusqu'a son engouffrage par les cavites croissantes