A 90Gb/s 2:1 multiplexer IC in InP-based HEMT technology

A 90Gb/s 2:1 multiplexer IC in InP-based HEMT technology
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采用基于 InP 的 HEMT 技术的 90Gb/s 2:1 多路复用器 IC

DOI：
10.1109/isscc.2002.993001
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发表时间：
2002
期刊：
2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers (Cat. No.02CH37315)
影响因子：
--
通讯作者：
Yuu Watanabe
Yuu Watanabe
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Toshihide Suzuki;Y. Nakasha;Tsuyoshi Takahashi;K. Makiyama;Kenji Imanishi;Tatsuya Hirose;Yuu Watanabe

文献摘要

被引文献

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90Gb/s 2:1 多路复用器 IC 采用 0.13/spl mu/m 栅 InP 基 HEMT 技术。并行2通道输入数据被串行化。差分输出为 0.7V/sub pp/。 1.9/spl times/1.8mm/sup 2/ 芯片在 -5.2V 电源下消耗 1.3W 功率。
A 90Gb/s 2:1 multiplexer IC uses 0.13/spl mu/m-gate InP-based HEMT technology. Parallel 2-ch input data are serialized. The differential outputs are 0.7V/sub pp/. The 1.9/spl times/1.8mm/sup 2/ die consumes 1.3W from a -5.2V supply.