Electronic structure of Gal-xCrxN and Si-doping effects studied by photoemission and X-ray absorption spectroscopy
Electronic structure of Gal-xCrxN and Si-doping effects studied by photoemission and X-ray absorption spectroscopy
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光电发射和X射线吸收光谱研究Gal-xCrxN的电子结构和Si掺杂效应
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Asahi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. S. Song;M. Kobayashi;J. I. Hwang;T. Kataoka;M. Takizawa;A. Fujimori;T. Ohkouchi;Y. Takeda;T. Okane;Y. Saitoh;Yamagami;F.-H. Chang;L. Lee;H-J. Lin;D. J. Huang;C. T. Chen;S. Kimura;M. Funakoshi;S. Hasegawa;and H. Asahi
