Sequential Single-Phonon Emission in GaAs-Al x Ga 1-x As Tunnel Junctions
Sequential Single-Phonon Emission in GaAs-Al x Ga 1-x As Tunnel Junctions
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GaAs-Al x Ga 1-x As 隧道结中的顺序单声子发射
DOI：
10.1103/physrevlett.52.2053
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发表时间：
1984
影响因子：
8.6
通讯作者：
H. Morkoç
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. W. Hickmott;P. Solomon;F. Fang;F. Stern;R. Fischer;H. Morkoç
