Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates
Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates
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源气供应顺序对(0001)蓝宝石衬底上AlN氢化物气相外延的影响
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.10.014
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发表时间：
2012
影响因子：
1.8
通讯作者：
Akinori Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rie Togashi;Toru Nagashima;Manabu Harada;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Hiroyuki Yanagi;Akinori Koukitu
