超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法によるSiC-DMOSFET断面キャリア分布のGS間電圧依存性解析
超高次走査型非線形誘電率顕微鏡法によるSiC-DMOSFET断面キャリア分布のGS間電圧依存性解析
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使用超高阶扫描非线性介电常数显微镜分析 SiC-DMOSFET 截面载流子分布的 GS 电压依赖性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
茅根慎通，長康雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Seng Pei Liew;Satoshi Shirai;茅根慎通，小杉亮治，田中保宣，原田 信介，奥村 元，長 康雄;茅根慎通，長康雄
