Fabrication of Avalanche Multiplication type a-Si:H Photodiode Films with Low Operation Voltage.

Fabrication of Avalanche Multiplication type a-Si:H Photodiode Films with Low Operation Voltage.
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低工作电压雪崩倍增型a-Si:H光电二极管薄膜的制造。

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Extended Abstracts of the 2005 IEEE Workshop on Charge-Coupled Devices and Advanced Image Sensors
影响因子：
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通讯作者：
Masahiro Akiyama
Masahiro Akiyama
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Masaru Sakai;Masaru Sakai;Masahiro Akiyama;秋山正弘;Masahiro Akiyama;秋山正弘;山内 仁;Masahiro Akiyama

文献摘要

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