Temporal variation in photoluminescence from single InGaN quantum dots
Temporal variation in photoluminescence from single InGaN quantum dots
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DOI：
10.1063/1.1753653
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发表时间：
2004-05-17
影响因子：
4
通讯作者：
Humphreys, CJ
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Rice, JH;Robinson, JW;Humphreys, CJ
我们报告测量的光学跃迁在单个III/V（InGaN）量子点作为时间的函数。在microphotoluminescence峰的位置和线宽的时间波动证明，并归因于光谱扩散过程。这种时间变化的起源归因于随机产生的局部电场诱导的InGaN量子点的光发射峰的斯塔克位移。(C)2004年，美国物理学会。
We report measurements of optical transitions in single III/V (InGaN) quantum dots as a function of time. Temporal fluctuations in microphotoluminescence peak position and linewidth are demonstrated and attributed to spectral diffusion processes. The origin of this temporal variation is ascribed to randomly generated local electric fields inducing a Stark shift in the optical emission peaks of the InGaN quantum dots. (C) 2004 American Institute of Physics.