Perfect preferential orientation of nitrogen-vacancy defects in a synthetic diamond sample
Perfect preferential orientation of nitrogen-vacancy defects in a synthetic diamond sample
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合成金刚石样品中氮空位缺陷的完美择优取向
DOI：
10.1063/1.4869103
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
Vincent Jacques
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Lesik;J. Tetienne;A. Tallaire;J. Achard;V. Mille;A. Gicquel;Jean;Vincent Jacques
研究表明，通过在（111）取向金刚石衬底上化学气相沉积，可以有效地控制金刚石中氮空位缺陷的取向。更准确地说，我们证明，自发产生的NV缺陷的取向与沿着[111]轴的概率为97%，对应于最吸引人的四个可能的结晶轴中的方向。这种近乎完美的择优取向可以通过分析金刚石在（111）取向衬底上的生长机制来解释，并可以扩展到其他类型的缺陷。这项工作是设计用于量子信息和传感应用的优化金刚石样品的重要一步。
We show that the orientation of nitrogen-vacancy (NV) defects in diamond can be efficiently controlled through chemical vapor deposition growth on a (111)-oriented diamond substrate. More precisely, we demonstrate that spontaneously generated NV defects are oriented with a ∼97% probability along the [111] axis, corresponding to the most appealing orientation among the four possible crystallographic axes. Such a nearly perfect preferential orientation is explained by analyzing the diamond growth mechanism on a (111)-oriented substrate and could be extended to other types of defects. This work is a significant step towards the design of optimized diamond samples for quantum information and sensing applications.
影响因子：
19.6
作者：
Dolde, F.;Jakobi, I.;Wrachtrup, J.
通讯作者：
Wrachtrup, J.
影响因子：
3.7
作者：
Edmonds, A. M.;D'Haenens-Johansson, U. F. S.;Markham, M. L.
通讯作者：
Markham, M. L.
影响因子：
38.3
作者：
Riedrich-Moeller, Janine;Kipfstuhl, Laura;Becher, Christoph
通讯作者：
Becher, Christoph