In-situメルトバックエッチングを施したSi基板上GaN
In-situメルトバックエッチングを施したSi基板上GaN
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采用原位回熔蚀刻技术的 Si 衬底上的 GaN
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
嶋中啓太
中科院分区：
文献类型：
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作者：
石川博康;十倉史行;嶋中啓太
