G.Ganguly, H.Nishio and A.Matsuda: "Reduction of the Defect Density in Hydrogenated Amorphous Silicon by Thermally Energized Growth Precursors" Appl.Phys.Lett.64. 3581-3583 (1994)
G.Ganguly, H.Nishio and A.Matsuda: "Reduction of the Defect Density in Hydrogenated Amorphous Silicon by Thermally Energized Growth Precursors" Appl.Phys.Lett.64. 3581-3583 (1994)
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G.Ganguly、H.Nishio 和 A.Matsuda：“通过热能生长前体降低氢化非晶硅中的缺陷密度”Appl.Phys.Lett.64。
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