配位子交換によりエネルギー準位を制御したPbSコロイダルナノドットを電荷蓄積層に用いたペンタセンメモリトランジスタ
配位子交換によりエネルギー準位を制御したPbSコロイダルナノドットを電荷蓄積層に用いたペンタセンメモリトランジスタ
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使用能级由配体交换控制的 PbS 胶体纳米点作为电荷存储层的并五苯存储晶体管
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
田中 一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井原聖矢;宇野 和行;田中 一郎
