Electrical characterisation of SiON/n-Si structures for MOS VLSI electronics
Electrical characterisation of SiON/n-Si structures for MOS VLSI electronics
复制标题
DOI：
10.1016/j.mejo.2004.01.001
复制
发表时间：
2004-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Nikos Konofaos
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nikos Konofaos
