Origin of RHEED intensity oscillation during homoepitaxial growth on GaAs (001)
Origin of RHEED intensity oscillation during homoepitaxial growth on GaAs (001)
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GaAs (001) 上同质外延生长过程中 RHEED 强度振荡的起源
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P.A.Maksym
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Kawamura;P.A.Maksym
