Role of Al in spacer layer on the formation of stacked InAs quantum dot structures on InP(3 1 1)B
Role of Al in spacer layer on the formation of stacked InAs quantum dot structures on InP(3 1 1)B
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间隔层中的 Al 对 InP(3 1 1)B 上堆叠 InAs 量子点结构形成的作用
DOI：
10.1016/s0022-0248(03)01312-5
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发表时间：
2003
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Kawabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Akahane;N. Yamamoto;N. Ohtani;Y. Okada;M. Kawabe
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H