ディラックタイプのフルポテンシャルLAPW法を用いたThRu_2Si_2の電子構造とフェルミ面
ディラックタイプのフルポテンシャルLAPW法を用いたThRu_2Si_2の電子構造とフェルミ面
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采用狄拉克型全势 LAPW 方法研究 ThRu_2Si_2 的电子结构和费米面
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山上浩志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Nakao;K.Ohwada;S.Shimomura;A.Ochiai;K.Namikawa;J.Mizuki;H.Mimura;K.Yamauchi;Y.Murakami;山上浩志
