Czochralski法により作製したPおよびBドープSiの電気化学的Li吸蔵－放出特性
Czochralski法により作製したPおよびBドープSiの電気化学的Li吸蔵－放出特性
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直拉法制备磷、硼掺杂硅的电化学储放锂性能
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
喜本航平，清水雅裕，新井 進
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中津留幸真;森本将行;高辻義行;春山哲也;喜本航平，清水雅裕，新井 進
