A compact V-band active SiGe power detector
A compact V-band active SiGe power detector
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紧凑型 V 波段有源 SiGe 功率探测器
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yunhua Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jian Zhang;Vincent Fusco;Yunhua Zhang
介绍了一种采用Infineon0.35μm SiGe HBT工艺(f<sup>T</sup>/f<sup>max</sup>=170/250 GHz)的紧凑型V波段有源功率探测器。包括所有焊盘在内，芯片总面积仅为0.35×0.8 mm<sup>2</sup>。该设计在55 GHz至67 GHz的频率范围内，动态范围大于20分贝。它还提供了一种简单、低功耗的应用潜力，可作为OOK/ASK等多Gbps高数据速率解调器中的包络检测器。
A compact V-band active power detector using Infineon 0.35 μm SiGe HBT process (f<sub>T</sub>/f<sub>max</sub> =170/250 GHz) is described. The total chip area is only 0.35×0.8 mm<sup>2</sup> including all pads. This design exhibits a dynamic range larger than 20 dB over the frequency range from 55 GHz to 67 GHz. It also offers a simple and low-power application potential as an envelop detector in multi-Gbps high data rate demodulators for OOK/ASK etc.