M.Shimozuma, K.Kitamori, H.Ohno, H.Hasegawa and H.Tagashira: "Room temperature deposition of silicon nitride films using verfy low frequency(50Hz) plasma CVD" J.Electronic Materials. 14. 573-586 (1985)
M.Shimozuma, K.Kitamori, H.Ohno, H.Hasegawa and H.Tagashira: "Room temperature deposition of silicon nitride films using verfy low frequency(50Hz) plasma CVD" J.Electronic Materials. 14. 573-586 (1985)
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M.Shimozuma、K.Kitamori、H.Ohno、H.Hasekawa 和 H.Tagashira：“使用 Verfy 低频 (50Hz) 等离子体 CVD 进行氮化硅薄膜的室温沉积”J.Electronic Materials。
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