Three-Dimensional-Topological-Insulator Tunnel Diodes
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DOI：
10.1103/physrevapplied.18.064037
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发表时间：
2022-12
影响因子：
4.6
通讯作者：
Stephen P. Fluckey;Sabyasachi Tiwari;C. Hinkle;W. Vandenberghe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Stephen P. Fluckey;Sabyasachi Tiwari;C. Hinkle;W. Vandenberghe
