Suppression and Oxygen Impurity Incorporationinto Silicon Films Prepared from Surface-Wave Excited H_2/SiH_4 Plasma
Suppression and Oxygen Impurity Incorporationinto Silicon Films Prepared from Surface-Wave Excited H_2/SiH_4 Plasma
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表面波激发H_2/SiH_4等离子体制备硅薄膜的抑制和氧杂质掺入
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Sugai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Somiya;H.Toyoda;Y.Hotta;H.Sugai
