First Principles Modeling of Defect-Free Abrupt SiC/SiO2 Interfaces on a- and m-Face 4H-SiC
First Principles Modeling of Defect-Free Abrupt SiC/SiO2 Interfaces on a- and m-Face 4H-SiC
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a 面和 m 面 4H-SiC 上无缺陷突变 SiC/SiO2 界面的第一原理建模
DOI：
10.7567/apex.11.101304
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Takahisa Ohno
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomoaki Kaneko;Nobuo Tajima;Takahiro Yamasaki;Jun Nara;Tatsuo Schimizu;Koichi Kato;and Takahisa Ohno
