Ripening of InAs quantum dots on GaAs (0 0 1) investigated with in situ scanning tunneling microscopy in metal–organic vapor phase epitaxy
Ripening of InAs quantum dots on GaAs (0 0 1) investigated with in situ scanning tunneling microscopy in metal–organic vapor phase epitaxy
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用原位扫描隧道显微镜研究金属有机气相外延中 GaAs (0 0 1) 上 InAs 量子点的成熟
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kneissl
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Kremzow;M. Pristovsek;M. Kneissl
