M.Saitoh, E.Nagata, T.Hiramoto: "Large memory window and long charge retention time in ultra-narrow channel silicon floating-dot memory"Applied Physics Letters. (採択決定). (2003)
M.Saitoh, E.Nagata, T.Hiramoto: "Large memory window and long charge retention time in ultra-narrow channel silicon floating-dot memory"Applied Physics Letters. (採択決定). (2003)
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M.Saitoh、E.Nagata、T.Hiramoto：“超窄沟道硅浮点存储器中的大存储窗口和长电荷保留时间”应用物理快报（2003 年）。
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