Niedermolekulare III/V‐Komplexe, ein möglicher neuer Weg zu Galliumarsenid und verwandten Halbleitern
Niedermolekulare III/V‐Komplexe, ein möglicher neuer Weg zu Galliumarsenid und verwandten Halbleitern
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Niedermolekulare III/V-Komplexe、ein möglicher neuer Weg zu Galliumarsenid und verwandten Halbleitern
DOI：
10.1002/ange.19891010908
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发表时间：
1989
影响因子：
--
通讯作者：
Richards A. Jones
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. H. Cowley;Richards A. Jones
目前，砷化镓、磷化铟和半导体的生产已进入材料科学和电工技术领域。在经典化学中，对Me 3Ga和AsH 3的热反应进行了详细的描述，这是一个很大的问题，半导体在商业上是很好的选择。这是一种简单的方法，因此，在手持烟火和赠送材料的情况下，环境和健康面临着风险，这是一个计量控制和内部反应的问题。能否通过有机或金属定向，制备工艺化学品，使Halbleitern生产的新试剂具有更好的外观和性能？我们将在前面的讨论中讨论如何在GaAs和InP薄膜上形成一条新的波导，基于III/V复合体。这个复杂的结构是由第三个元素组成的。和V. Hauptgruppe des Periodensystems auf，and sie tragen Substituten，die leicht thermisch eliminiert韦尔登können. III/V复合物具有较高的稳定性和较强的毒性，可用于III和V的添加或混合物。
Bis vor kurzem war die Produktion von Galliumarsenid, Indiumphosphid und verwandten Halbleitern eine Domäne der Materialwissenschaftler und Elektroingenieure. Durch geschickten Einsatz der klassischen Chemie, veranschaulicht an der thermischen Reaktion von Me3Ga und AsH3, ist es möglich, Halbleiter in kommerziellem Maßstab herzustellen. Es gibt jedoch einige Nachteile dieser Methoden, so die Umwelt‐ und Gesundheitsrisiken bei der Handhabung pyrophorer und giftiger Materialien, Probleme bei der Kontrolle der Stöchiometrie und unerwünschte Nebenreaktionen. Kann der anorganisch oder metallorganisch orientierte, präparativ arbeitende Chemiker auf diesem wichtigen Gebiet durch Konzeption und Entwicklung neuer Reagentien für die Produktion von Halbleitern eine nützliche Rolle spielen? Wir glauben, die Antwort lautet ja, und in dem vorliegenden Beitrag diskutieren wir einen neuen Weg zur Herstellung von dünnen GaAs‐ und InP‐Filmen, basierend auf III/V‐Komplexe als einziger Quelle. Diese Komplexe weisen starke Bindungen zwischen den Elementen der III. und V. Hauptgruppe des Periodensystems auf, und sie tragen Substituenten, die leicht thermisch eliminiert werden können. Die III/V‐Komplexe sind gegenüber Luft und Feuchtigkeit stabiler und erheblich weniger toxisch als Addukte oder Mischungen aus III‐ und V‐Verbindungen.