高誘電率ゲート絶縁膜を利用した4端子低温poly-Si薄膜トランジスタ の開発とセンサへの応用
高誘電率ゲート絶縁膜を利用した4端子低温poly-Si薄膜トランジスタ の開発とセンサへの応用
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采用高介电常数栅极绝缘膜的四端低温多晶硅薄膜晶体管的开发及其在传感器中的应用
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
原明人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鈴木択実;小林達也;原明人
