N, Usami, M. Miura, Y, Ito, Y. Araki, K. Nakajima, and Y. Shiraki: "Modification of the growth mode of Ge on Si(100) in the presence of buried Ge islands"J. Cryst. Growth. 227. 782-785 (2001)
N, Usami, M. Miura, Y, Ito, Y. Araki, K. Nakajima, and Y. Shiraki: "Modification of the growth mode of Ge on Si(100) in the presence of buried Ge islands"J. Cryst. Growth. 227. 782-785 (2001)
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N、Usami、M. Miura、Y、Ito、Y. Araki、K. Nakajima 和 Y. Shiraki：“在存在埋藏 Ge 岛的情况下，Ge 在 Si(100) 上生长模式的修改”J。
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