Low-Temperature Growth of Al(Ga)N/GaN Tunnel Junction with Abrupt Interfaces and Low Dislocation Density for Polarization Engineered Water Splitting Photocathode
Low-Temperature Growth of Al(Ga)N/GaN Tunnel Junction with Abrupt Interfaces and Low Dislocation Density for Polarization Engineered Water Splitting Photocathode
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用于偏振工程水分解光电阴极的具有突变界面和低位错密度的 Al(Ga)N/GaN 隧道结的低温生长
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Sugiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Nakamura;M. Suzuki;K. Fujii;Y. Nakano;and M. Sugiyama
