Soft X-ray Reflection Spectroscopy for Nano-Scaled Layered Structure Materials
Soft X-ray Reflection Spectroscopy for Nano-Scaled Layered Structure Materials
复制标题
纳米层状结构材料的软 X 射线反射光谱
作者：
A. Majhi;A. Majhi;M. Nayak;M. Nayak;P. Pradhan;P. Pradhan;E. Filatova;A. Sokolov;F. Schäfers
我们介绍了一种新的方法，解决了分层纳米结构薄膜的界面结构现象的探测。该方法结合了共振软X射线反射光谱在掠入射附近的“临界角”与角相关的反射在各自的吸收边缘周围的能量。动态散射被认为是确定有效的电子密度，因此化学解析的原子分布在整个结构的基础上同步数据分析。我们展示了该技术在多层模型结构C（20 μ m）/B（40 μ m）/Si（300 μ m）/W（10 μ m）/衬底上的应用。我们精确地量化了界面上的原子迁移，材料化学变化的百分之几以及从顶部到掩埋界面的杂质的存在。所获得的结果揭示了对解决的组成差异的方法的灵敏度高达几个原子百分比。所开发的方法能够重建复杂的纳米级界面的高度空间化学分辨的界面图，与许多新兴的应用研究领域具有技术相关性。
We introduce a novel approach that addresses the probing of interfacial structural phenomena in layered nano-structured films. The approach combines resonant soft x-ray reflection spectroscopy at grazing incidence near the “critical angle” with angular dependent reflection at energies around the respective absorption edges. Dynamic scattering is considered to determine the effective electron density and hence chemically resolved atomic profile across the structure based on simultaneous data analysis. We demonstrate application of the developed technique on the layered model structure C (20 Å)/B (40 Å)/Si (300 Å)/W (10 Å)/substrate. We precisely quantify atomic migration across the interfaces, a few percent of chemical changes of materials and the presence of impurities from top to the buried interfaces. The results obtained reveal the sensitivity of the approach towards resolving the compositional differences up to a few atomic percent. The developed approach enables the reconstruction of a highly spatio-chemically resolved interfacial map of complex nano-scaled interfaces with technical relevance to many emerging applied research fields.
登录
查看更多内容
影响因子：
41.2
作者：
Collins, B. A.;Cochran, J. E.;Ade, H.
通讯作者：
Ade, H.
透射电子显微镜
DOI：
10.1007/978-3-319-26651-0_3
发表时间：
2016
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
Burke M
通讯作者：
Burke M
通过共振软 X 射线反射率获得具有原子层分辨率的电子深度剖面
影响因子：
3.3
作者：
M. Zwiebler;J. E. Hamann-Borrero;M. Vafaee;P. Komissinskiy;S. Macke;R. Sutarto;B. Buchner;G. A. Sawatzky;L. Alff;J. Geck
通讯作者：
J. Geck
影响因子：
5.7
作者：
Hamann-Borrero, Jorge E.;Macke, Sebastian;Hinkov, Vladimir
通讯作者：
Hinkov, Vladimir